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摘 要：通过将铝蒸气直接氮化法中的反应驱动力控制在热力学平衡点附近，抑制了过量的核生成，成功培育出长度达数cm、直径最大达300 μm的针状氮化铝（AlN）高质量单晶，在此基础上通过溶液生长法，在保持高结晶性的同时实现了最高175 μm/h的快速径向扩展。
关键词：AlN衬底、超宽带隙半导体、热力学平衡点、针状单晶、液相外延生长
要点
提出了一种将铝蒸气直接氮化法中的反应驱动力控制在热力学平衡点附近的创新方法。
针对以往只能获得多晶粉末或纳米线的直接氮化法，通过抑制过量的核生成，成功培育出长度达数cm、直径最大达300 μm的针状氮化铝（AlN）高质量单晶。
以获得的晶体作为籽晶，通过溶液生长法，在保持高结晶性的同时实现了最高175 μm/h的快速径向扩展（大口径化），为下一代超宽带隙半导体衬底的实用化开辟道路。
概要
氮化铝（AlN）具有优异