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摘 要：研究小组证实了传统半导体物理中被忽视的“微观化学键网络（d–p–d杂化网络）”使电子得以传播的机制，这一机制的存在使得电荷转移的衰减长度（渗出长度）比半导体结理论值长数倍，有望为功能性氧化物器件提供新的设计指导。
关键词：化学键网络、电荷长距离转移、半导体、异质界面、衰减长度
要点
利用高亮度同步辐射的共振光电子能谱法，成功可视化了以原子层精度控制的氧化物异质界面处自发产生的电荷转移现象。
阐明了电荷转移的衰减长度（渗出长度）比半导体结理论值长数倍，并首次证实了传统半导体器件设计中未曾考虑的“化学键网络”的贡献。
这一成果有望为功能性氧化物器件提供新的设计指导。
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