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摘 要:研究表明,在由手性反铁磁体Mn3Sn与重金属构成的器件中,通过减薄磁性层,可抑制热引起的切换机制,实现自旋流直接改写磁序的高效量子切换。
关键词:磁态切换、磁性层厚度、反铁磁体、自旋流、非易失性磁存储器(MRAM)
要点
利用量子效应可实现超高速、超低功耗切换动作的反铁磁材料,作为下一代非易失性逻辑·存储器的新型磁记录层材料备受关注。
研究表明,在由手性反铁磁体Mn3Sn与重金属构成的器件中,通过减薄磁性层,可抑制热引起的切换机制,实现自旋流直接改写磁序的高效量子切换。
本成果表明,通过优化器件形状,可在抑制温升和功耗的同时实现高速磁记录,为利用反铁磁体的超高速、低功耗逻辑·存储器的器件设计提供重要指导。

Mn3Sn/重金属(HM)器件中利用自旋流的两种磁切换机制。
在通过内源性机制的切换中,自旋流在电流施加过程中直接作用于磁序;而在通过温度辅助机制的切换中,磁序在电流施加过程中消失。
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