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摘 要：本研究开发了基于非晶金属氧化物半导体（AOS）薄膜的多层交叉阵列(Crossbar Array)，并实现了在神经形态系统中的实际安装。AOS薄膜可以通过简单的溅射方法（一种在真空中使用等离子体的成膜技术）进行成膜，不涉及热处理，因此可以在不损害底层结构的基础上实现多层结构。该成果将有助于实现未来神经形态系统中突触元件的天文级大规模集成（LSI）。
关键词：三维半导体芯片、人工智能、字符识别学习、自主学习、神经形态系统、联想记忆
研究要点
■ 将独有的三维半导体芯片实际安装于可自主学习的神经形态系统，证实了高级联想记忆功能的潜力。
■ 构建了模仿人脑结构的先进复杂计算系统，有望实现神经形态系统的实际应用，高速且低耗能地再现大脑功能。
■ 可促进利用氧化物半导体的神经网络的研发。
龙谷大学创新材料和工艺研究中心的木村睦研究员（高级理工学院教授）及其组内研究员岩城江津子（理工学研究生院硕士2年级）带领的研究小组发表了一篇有关“将非晶金属氧化物半导体薄膜实际安装于神经形态系统”的研究论文，并刊登于世界最大的技术专业组织IEEE的国际期刊。
龍谷大学 革新的材料・プロセス研究センター②）の木村睦 研究員（先端理工学部教授）および木村睦研究員のグループに所属する岩城江津子さん（理工学研究科修士2年）らの研究グループは、「アモルファス金属酸化物半導体薄膜のニューロモルフィックシステムへの実装」に関する研究論文を発表し、世界最大の技術専門組織『IEEE』*の国際ジャーナルに掲載されました。