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摘 要：研究利用钨酸锂（LixWO3）薄膜和锂离子传导性玻璃陶瓷（LICGC）基板的氧化还原反应，成功开发出能够再现类似神经回路的电气特性的新晶体管。
关键词：物理储备池、氧化还原晶体管、非线性响应、神经形态计算、高维
东京理科大学和物质与材料研究机构，利用钨酸锂（LixWO3）薄膜和锂离子传导性玻璃陶瓷（LICGC）基板的氧化还原反应，成功开发出能够再现类似神经回路的电气特性的新晶体管。
取得显著发展的高级人工智能面临巨大的能源消耗问题，迫切需要开发能耗低且可高精度运算的硬件。
作为能够大幅降低计算资源和耗电量的技术，物理储备池计算备受关注。到目前为止，已有光学器件、自旋扭矩振荡元件、存储器等各种材料和器件的报道，但其性能仍有改善的空间。
研究小组之前通过将双电层晶体管用作物理储备池，开发出了模仿大脑特征进行类脑信息处理的技术，并显示出出色的性能。以该研究成果为基础，此次聚焦于通过锂离子氧化还原反应实现电流响应的氧化还原晶体管的开发。
双电层晶体管利用的是基于双电层充放电的电响应，而氧化还原晶体管利用的则是基于离子在通道中插入和脱离的电响应。