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摘 要：利用第一性原理计算，设计出由非共线性反铁磁体Mn3Sn与氧化镁组合成的磁性隧道结（MTJ），并从理论上预测了其会表现出巨大的隧穿磁阻（TMR）效应，有望作为反铁磁体隧道结器件的设计开发指南，推动未来高密度、超高速且低电耗的高密度非易失性磁性存储器的开发。
关键词：磁性隧道结（MTJ）、非共线性反铁磁体、Mn3Sn、隧穿磁阻（TMR）效应、第一性原理计算
要点
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在理论上设计出利用非共线性反铁磁体的磁性隧道结，并通过计算预测了其会表现出巨大的隧穿磁阻效应。
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本理论预测，由具有应用潜力的非共线反铁磁体材料和典型的绝缘材料形成的反铁磁隧道结，有可能实现实用化。
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本研究成果有望成为开发高密度、超高速、低电耗磁性存储器的设计指南。