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摘 要：本研究开发了一种以铁-锰基合金为磁性存储材料，在原子层级形成平坦超薄膜的磁性忆阻器，制成直径为200纳米的微小且简单的圆柱状元件，并成功模拟了突触功能，有望应用于未来的类脑系统。
关键词：忆阻器、突触模拟、类脑系统、铁-锰基磁性存储材料、旋节线分解
要点
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开发了一种以铁-锰基合金为磁性存储材料，在原子层级形成平坦超薄膜的磁性忆阻器
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成功利用直径为200纳米的微小且简单的圆柱状元件模拟了突触功能
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结构易于集成，可高速运行，有望应用于未来的类脑系统
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