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摘 要：研究小组利用分子束外延法和原子置换（局部规整反应）法的独特组合，制备了只有3个原子厚度的原子层二硫化钒（VS2）薄膜，发现了VS2原子层是一维电荷排列，并提出了通过与以往不同的“高阶嵌套向量”生成电荷排列。
关键词：二维材料、电荷排列、二硫化钒、高阶嵌套向量、电荷密度波
要点
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利用分子束外延（molecular beam epitaxy；MBE）法和原子置换（局部规整反应）法的独特组合，制备了只有3个原子厚度的原子层二硫化钒（VS2）薄膜。
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发现了VS2原子层是一维电荷排列。
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提出了通过与以往不同的“高阶嵌套向量”生成电荷排列。
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有望促进二维材料中尚存在众多谜团的的电荷密度波（charge-density wave；CDW）机制的阐明，以及采用原子层材料的开关纳米装置的开发。