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摘 要：研究团队利用新型反相器，开发出一种新的SRAM存储单元，能在仅约0.2V的超低电压下最大程度扩大传输特性的滞后幅度，确保极低的故障率并保存数据。
关键词：CMOS反相器、SRAM存储单元、超低电压、滞后幅度、耐噪性
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要点
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提出一种新型的CMOS反相器，能在仅约0.2V的超低电压下最大程度扩大传输特性的滞后幅度
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利用新型反相器，开发出一种新的SRAM存储单元，即使在超低电压下也能确保极低的故障率并保存数据