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在室温下实现拓扑量子物质的新型开关/记忆效应

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摘   要:本研究使用一种拓扑量子物质,即被称为“拓扑晶体绝缘体”的材料Pb0.48Sn0.52Te(铅锡碲),在包括室温的温度范围内发现/实现了由铅锡碲的拓扑特性体现的“贝里曲率偶极子”,以及由铁电性的协同作用衍生的开关效应和记忆效应。

关键词:拓扑量子物质、铅锡碲、室温、开关/记忆效应、铁电性

 

 

联合研究小组使用一种21世纪的新材料“拓扑量子物质”,即“拓扑晶体绝缘体”,在室温下成功实现了一种源自其拓扑特性的新型开关效应。

 

“拓扑量子物质”与20世纪之前发现的半导体、金属、磁性材料等具有根本不同性质,是一种电子态被拓扑“扭曲”的物质。2016年,这一研究领域的开创性研究项目获得了诺贝尔物理学奖,凸显了拓扑量子物质的巨大重要性。

 

本次研究使用一种拓扑量子物质,即被称为“拓扑晶体绝缘体”的材料Pb0.48Sn0.52Te(铅锡碲),在包括室温的温度范围内发现/实现了由铅锡碲的拓扑特性体现的“贝里曲率偶极子”,以及由铁电性的协同作用衍生的开关效应和记忆效应。

 

这一成果为拓扑量子物质发展为电子器件提供了新的可能性,并打开了物质应用的大门。

 

 

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