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控制单原子级薄膜中磁性准粒子的磁化扭曲——助力新型高容量、高速、低功耗信息终端的开发

 

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摘   要:研究小组在以往的基本积层结构Pt/Co/Ni中仅插入约0.3 nm的稀土元素Gd(钆),制作出Pt/Gd/Co/Ni积层体,验证了一种兼顾磁斯格明子大容量、高速、低功耗驱动这三大优点的方法,有望应用于未来的信息终端。

关键词:磁斯格明子、Gd纳米薄膜、准粒子、信息终端、自旋

 

要点

  1. 人们期待新型信息终端的问世,以应对信息爆炸。

     

  2. 通过插入原子级别的薄膜,验证了一种兼顾磁斯格明子大容量、高速、低功耗驱动这三大优点的方法。

     

  3. 可以探索更有效的材料,蕴藏着无限的可能性,有望应用于未来的信息终端。

 

概要

人们正受益于以人工智能为首的信息社会,但随着信息量的暴增,处理信息所需要的电力正在逼近全球发电量。为解决这个问题,需要以前所未有的水平抑制耗电量的技术。其中一个备选方案就是利用磁斯格明子。磁斯格明子是磁性体中自旋被扭转的准粒子结构,不仅拓扑学稳定,而且能以纳米级的微小尺寸、GHz的高速驱动以及低电流传输等信息终端所需的三大要素,因而备受期待。但是,要同时实现这三个优点并非易事,这种三难困境成为课题。

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