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摘 要：研究小组成功制备出半导体胶体量子点的高有序超晶格薄膜，迁移率得到大幅提升，首次通过载流子掺杂实现了金属的传导性。
关键词：半导体、胶体量子点、超晶格薄膜、迁移率、载流子掺杂
研究小组成功制备出半导体胶体量子点的高有序超晶格薄膜，迁移率得到大幅提升，首次通过载流子掺杂实现了金属的传导性。
本研究成果将为未来光电器件的开发奠定新的基础。
此前，在将由胶体量子点构成的材料安装到光电器件上时，迁移率低是一个突出的问题。
此次研究小组将含有机配体的稳定态硫化铅（PbS）胶体量子点集成在有机溶剂表面上。然后，从形成量子点表面的若干结晶面中选择性地去除有机配体，使量子点之间进行外延接合，成功地在硅基板上映射出了晶体方向保持一致、大面积排列的薄膜（即“量子点超晶格”）。