GaN衬底的零损耗快速激光切割技术开发成功！有望显著降低使用GaN衬底的器件成本

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摘   要：日本的研究小组发明了一种使用激光在短时间内零损耗切割GaN衬底的新技术。单晶GaN衬底对于高性能GaN器件来说必不可少，但其价格非常昂贵，阻碍了使用GaN衬底的器件的普及，本研究有望显著降低使用GaN衬底的器件成本，从而将其推广到社会。

关键字：GaN衬底、激光切割技术、功率半导体、功率器件、GaN晶体