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摘要：日本罗姆（ROHM）株式会社开发出一种用于降低逆变器电路功率损耗的功率半导体，且在600V耐压超结结构的MOSFET的“PrestoMOS”系列中增加了7种型号。

关键字：功率半导体、导通电阻、金属氧化物半导体场效应晶体管、新型号、量产

罗姆（ROHM）株式会社开发出一种用于降低逆变器电路的功率损耗的功率半导体。在600V耐压超结结构的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）“PrestoMOS”系列中，增加可同时实现行业内最快的反向恢复时间（trr）以及导通电阻降低的7种型号。新型号已于今年1月开始量产，月产量达10万件。不含消费税的样品单价为900日元（约为47元人民币）。

新型号具有如下特点：trr（开关时损耗的原因）减小至105纳秒（1纳秒=1/10亿秒）；同时，与其他公司的现有产品相比，导通电阻（导通时功率损耗的原因）最大降低20%。通过减小trr，与其他公司的同类产品相比，开关时的功率损耗减少17%。通过同时实现这两种性能，有助于降低装载机器的耗电量。

600V耐压超结MOSFET：维持trr的同时，与其他公司产品相比，导通电阻最大可降低20%

通过独有的元件设计技术，提高了单位面积的电流密度，今后有望应用于电动汽车（EV）充电站、服务器、空调等逆变器电路中。新型号生产的前道工序将在日本滋贺县和福冈县完成，后道工序将在中国工厂完成。

随着全球电力消耗量的增加，面临如何提高EV充电站、基站、白色家电效率的课题，需要降低安装在这些设备上的功率半导体的功率损耗。因此，罗姆计划在今年内推出低噪音性能得到提升的系列产品，进一步扩充产品类型，以应对广泛的用户需求。

罗姆：开发出导通电阻降低20%的“功率半导体”