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摘要：研究小组成功制备出半导体胶体量子点的高有序超晶格薄膜，迁移率得到大幅提升，首次通过载流子掺杂实现了金属的传导性。

关键词：半导体、胶体量子点、超晶格薄膜、迁移率、载流子掺杂

研究小组成功制备出半导体胶体量子点的高有序超晶格薄膜，迁移率得到大幅提升，首次通过载流子掺杂实现了金属的传导性。

本研究成果将为未来光电器件的开发奠定新的基础。

此前，在将由胶体量子点构成的材料安装到光电器件上时，迁移率低是一个突出的问题。

此次研究小组将含有机配体的稳定态硫化铅（PbS）胶体量子点集成在有机溶剂表面上。然后，从形成量子点表面的若干结晶面中选择性地去除有机配体，使量子点之间进行外延接合，成功地在硅基板上映射出了晶体方向保持一致、大面积排列的薄膜（即“量子点超晶格”）。

通过场效应晶体管器件调查超晶格薄膜的导电特性，观测到的迁移率比传统商用胶体量子点薄膜高出1000倍至100万倍以上。另外，通过在低温下的电阻测定，明确了该薄膜因载流子掺杂而显示出金属传导性。

开发的胶体量子点超晶格的电子显微镜照片（左）和超晶格结构示意图（右）

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实现高迁移率的半导体胶体量子点超晶格