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摘 要：日本丰田中央研究所发布了一项碳化钽的厚膜涂层技术“SinTaC”，该技术可抑制用于生成功率半导体材料SiC（碳化硅）结晶的石墨坩埚（以下简称坩埚）的劣化。使得坩埚可以重复使用，有望为减少环境影响做出贡献。
关键词：碳化硅、石墨坩埚、碳化钽涂层、抑制粘附、重复利用
日本丰田中央研究所发布了一项碳化钽的厚膜涂层技术“SinTaC”，该技术可抑制用于生成功率半导体材料SiC（碳化硅）结晶的石墨坩埚（以下简称坩埚）的劣化。使得坩埚可以重复使用，有望为减少环境影响做出贡献。
制造SiC时，需要在昂贵的坩埚中的所需位置生成并生长单晶，但坩埚除了被加热到超过2,000℃的高温外，还会因产生的气体而腐蚀和劣化。此外，由于SiC晶体附着在内表面，因此使用一次后就被丢弃。
此次，研究小组在整个坩埚上涂上了SinTaC厚膜涂层。由于碳化钽的涂层在坩埚加热时厚度太薄，可能会出现裂纹，因此需要形成均匀的厚膜。对此，通过浆料材料设计，研究小组找到了获得均匀且厚的碳化钽薄膜的最佳条件，并将其作为涂层技术（SinTaC）进行了采用。当在SinTaC厚膜涂层上进行降低表面粗糙度的处理时，可以防止SiC粘附在目标位置以外的区域。
结果显示，耐腐蚀性得到了提高。此外，通过对坩埚内表面进行额外处理，研究小组证实了即使SiC粘附在坩埚内表面上，也能更容易剥离（抑制粘附）。这些改进使得坩埚可以重复使用，有望降低SiC制造成本和环境影响。