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摘 要：日本的一个研究小组开发出一种通过原子层沉积（ALD）法制作氧化物半导体——氧化铟（In2O3）的技术，实现了高密度、低功耗的三维垂直沟道铁电体和反铁电体晶体管存储器，通过将这种存储器件技术用于物联网设备的存储内存，有望开展利用大数据的社会服务。
关键字：氧化物半导体、氧化铟、存储器件技术、物联网设备、大数据
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研究小组开发了一种将氧化物半导体均匀沉积成三维结构的技术，实现了高密度、低功耗的三维垂直沟道铁电体和反铁电体晶体管存储器。
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通过原子层沉积法代替传统溅射法的沉积，开辟了将氧化物半导体应用于三维集成存储器件的可能性。另外，通过在铁电体的基础上使用反铁电体，能够有效地执行存储器的重写操作。
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通过将这种存储器件技术用于物联网设备的存储内存，有望开展利用大数据的社会服务。
随着物联网家电等物联网设备获取的数据量逐年增加，云服务器上的数据流量越来越大。为了有效利用大数据，即使是物联网设备也需要积累大量数据并使用人工智能算法处理信息。NAND闪存一般用作大容量的存储内存，但由于其功耗大，不适合安装在物联网设备中。铁电体晶体管（FeFET）存储器由于其铁电体性质而功耗较小，但实现像NAND闪存一样高密度三维垂直沟道结构的可行性尚未明确。