层状半导体（氢化锗）中空穴迁移率创历史新高——利用二维/三维同元素异质界面开发新材料

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摘   要：本研究阐明，无需像以往调制掺杂结构那样的精密杂质控制，仅通过构建由相同元素（锗）组成的二维物质与三维物质的界面，即可形成强烈抑制电离杂质散射的清洁导电通道（二维空穴气体），作为在低温下实现高迁移率界面的设计方针，为未来高速器件的开发提供了重要启示。

关键词：层状半导体、氢化锗、杂质控制、2D/3D同素异形体异质界面、氢原子终止