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摘 要：日本的研究小组在通过分子束外延（MBE）法形成比较新颖的砷化镓铋（GaAsBi）（Bi系III-V族半导体半金属混晶之一）时，仅通过将半导体衬底的温度分别设为180℃和250℃，便成功地分别制造了非晶层和单晶层。利用卢瑟福背散射法进行测定后阐明，通过精确调节由MBE法形成GaAsBi时的Ga和As的分子剂量比，可以得到均匀结合了Bi原子的非晶GaAsBi和单晶GaAsBi。此外，通过X射线衍射法发现，即使在250℃这样较低的半导体晶体形成温度下，也可以获得原子排列紊乱尽可能少的单晶GaAsBi。通过详细分析本次获得的样品，并利用测定出的晶体形成条件，有望阐明Bi原子在减少低温形成GaAsBi时的晶体缺陷方面发挥的表面活性剂效应，并推动开发活用晶体中存在的少量晶体缺陷的半导体器件。
关键字：半导体、砷化镓铋（GaAsBi）、非晶层、单晶层、低温形成、半导体器件
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在形成作为铋（Bi）系III-V族半导体半金属混晶之一的砷化镓铋（GaAsBi）时，仅通过将使用的半导体衬底的温度分别设为180℃和250℃，便成功分别形成非晶层和单晶层。
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明确了通过精确调节形成GaAsBi时的Ga和As的分子剂量比，可以得到Bi原子分布均匀的非晶GaAsBi和单晶GaAsBi。
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研究发现，即使在250℃这样较低的半导体形成温度下，也可以获得原子排列紊乱尽可能少的单晶GaAsBi，由此，有望阐明Bi原子对于减少低温形成过程中晶体缺陷的作用，并实现活用晶体中存在的少量晶体缺陷的半导体器件。
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