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摘 要：联合研究小组成功制造了三碲化二锑（Sb2Te3）/二硫化钼（MoS2）的范德瓦尔斯界面，并开发了一种有助于大幅提高n型MoS2晶体管性能的降低接触界面电阻（低接触电阻）技术，有助于实现下一代Beyond 2 nm逻辑半导体。
关键词：TMDC晶体管、逻辑半导体、三碲化二锑（Sb2Te3）/二硫化钼（MoS2）、范德瓦尔斯界面、接触电阻
晶体管新材料开发，提高逻辑半导体性能
——通过二维材料MoS2和层状Sb2Te3实现低接触电阻
要点
•通过溅射法形成原子级可控的Sb2Te3层状物质
•通过与MoS2形成异质层状物质界面（范德瓦尔斯界面）实现了低接触电阻
•具有耐热性并有望量产，有助于实现下一代CMOS器件
目录
概要
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开发背景
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研究经过
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研究内容
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未来展望
具有低接触电阻的MoS2晶体管
(左)晶体管示意图，(右)放大Sb2Te3/MoS2界面的TEM图像
※引用并修改了原论文《Sb2Te3/MoS2 van der Waals Junctions with High Thermal Stability and Low Contact Resistance》中的图。知识共享许可（署名4.0国际）
概要
日本产综研的联合研究小组成功制造了三碲化二锑（Sb2Te3）/二硫化钼（MoS2）的范德瓦尔斯界面，并开发了一种有助于大幅提高n型MoS2晶体管性能的降低接触界面电阻（低接触电阻）技术。
MoS2是一种被称为过渡金属二硫化物（TMDC）的材料，具有二维晶体结构，作为下一代晶体管沟道用的半导体材料而备受关注。然而，普通金属电极和MoS2接触面的高接触电阻阻碍了晶体管性能的提高。此次，通过在MoS2上沉积层状物质Sb2Te3，研究小组成功地显着降低了接触电阻。此外，由于Sb2Te3的高热稳定性，所制造的MoS2