横滨国立大学：开发出用于半导体后道工序的新型芯片集成方法

日本横滨国立大学、株式会社DISCO、东丽工程株式会社利用直接键合技术，成功开发出一种新型芯片临时键合和分离技术。

“芯粒（Chiplet）集成”作为一种突破半导体器件的小型化极限，追求更高性能和更低功耗的技术而备受关注。但是，将芯片键合到晶圆上并确保垂直电连接的键合/布线技术仍然存在问题，需要新型键合和集成方法。

本研究展示了一种使用新开发的CVD绝缘膜将芯片临时键合到晶圆上的方法。在这种方法中，临时键合是通过等离子体激活的直接键合完成的。

因此，临时键合界面与大多数前道工序兼容，据称这是一种有望扩展的集成技术，例如使用先进的晶圆厂技术进一步小型化。

此外，由于界面层薄且坚固，因此可以降低键合过程中芯片移位的风险。据称，这是一种新型垂直布线形成技术和芯片集成技术，可以实现Die-to-Wafer（裸晶到晶圆）的“混合键合”，并且可以减少因临时键合而产生的材料加工时间，减少材料损耗以及降低成本。