率先研发“氧化镓”的NICT对于半导体器件未来的预测

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摘   要：半导体器件的发展影响着国家安全、能源能耗及社会发展。近年来，具有耐高压、低功耗等显著优势的氮化镓等宽禁带半导体所引领的新型功率半导体市场急速增长。率先研发氧化镓的日本国家信息与通信研究院预测，氧化镓材料及相关技术未来有望突破限制传统半导体器件的极端环境，推动全新的前沿半导体器件的发展。

关键字：氧化镓、半导体器件、功率器件、极端环境、高频氧化镓晶体管