本文984字，阅读约需3分钟
摘 要：巴斯夫开发新型PPA材料，适合用于制造下一代功率电子器件——绝缘栅双极晶体管（IGBT）半导体外壳，能够承受更高温度、提供持续电气绝缘，并在潮湿、灰尘和污垢等恶劣环境条件下保持尺寸稳定性。
关键词：绝缘栅双极晶体管（IGBT）、PPA、绝缘性、鲁棒性、高热稳定性
针对下一代功率电子器件，巴斯夫开发了一种特别适合用于制造绝缘栅双极晶体管（IGBT）半导体外壳的聚邻苯二甲酰胺（PPA）材料。
Ultramid Advanced N3U41 G6满足了对高性能、可靠电子元件不断增长的需求，例如在电动汽车、高速列车、智能制造以及可再生能源发电等领域。全球功率电子技术领导者赛米控丹佛斯（Semikron Danfoss）现在在其Semitrans 10 IGBT中使用巴斯夫PPA作为外壳，该IGBT可以安装在光伏和风力发电系统的逆变器中。
由于其出色的化学抗性和尺寸稳定性，Ultramid Advanced N级增强了这些IGBT的鲁棒性、长期性能和可靠性，从而满足了节能、更高功率密度和提高效率的日益增长的需求。IGBT在功率电子器件中实现了电路的有效开关和控制。
IGBT是现代电子器件的关键组成部分，特别是在可再生能源领域。IGBT必须在更高的温度下运行，同时保持长期稳定性和性能。Semitrans 10凭借巴斯夫PPA的独特属性，为性能和效率树立了新的标杆。我们选