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摘要：日本京都大学宣布，使用碳化硅（SiC）半导体的集成电路（IC）成功在350℃高温下完成了基本运行实证实验，有助于应对日益增长的在更高温度下使用IC的需求。

关键字：碳化硅（SiC）半导体、集成电路、结型场效应晶体管、高温运行、互补型结构

日本京都大学宣布，使用碳化硅（SiC）半导体的集成电路（IC）成功在350℃高温下完成了基本运行实证实验。

京都大学开发了一种具有低功耗互补结构的结型场效应晶体管（JFET）。据悉，该结型场效应晶体管即使在高温下也能稳定运行，待机功率最大可以控制在几十纳瓦。今后，京都大学将继续讨论通过小型化来减小尺寸和提高速度。

SiC半导体可以在约800℃下正常运行，但在IC中的常见金属氧化膜半导体场效应晶体管（MOSFET）中，在氧化膜与SiC之间的结界面处存在许多缺陷，因此难以在高温下稳定运行。

针对该问题，研究小组在SiC上制作了JFET，其可以在高温下稳定运行而不会产生界面缺陷。此外，研究小组还实现了与MOSFET相同的互补型结构，并成功降低了功耗。

JFET无法像MOSFET那样在同一基板上构成能够降低待机功率的n型和p型晶体管组合而成的互补型电路，因此需要更大的待机功率。研究小组通过离子注入制备晶体管，成功在SiC的同一基板上制作了互补型电路。此外，京都大学还实现了常关型特性，即在未向栅极端子施加电压时不允许电流流动。

在当前主流的硅（Si）半导体IC中，运行温度被限制在大约250℃。然而，在石油和天然气的钻探工作、行星探索以及发动机燃烧室的控制等方面，对能够在更高温度下使用的IC的需求日益增加。

京都大学：成功实证“SiC半导体IC”在350℃高温下的基本运行