京都大学：成功实证“SiC半导体IC”在350℃高温下的基本运行

本文531字，阅读约需1分钟

摘   要：日本京都大学宣布，使用碳化硅（SiC）半导体的集成电路（IC）成功在350℃高温下完成了基本运行实证实验，有助于应对日益增长的在更高温度下使用IC的需求。

关键字：碳化硅（SiC）半导体、集成电路、结型场效应晶体管、高温运行、互补型结构