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摘 要：通过采用原子层堆积法的氧化物半导体纳米薄膜成膜技术，以低温下可形成的纳米片氧化物半导体为通道材料，成功开发出高性能、高可靠性的晶体管。
关键词：氧化物半导体、原子层堆积法、晶体管、集成化、InGaO（IGO）纳米薄膜
要点
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利用纳米片状氧化物半导体开发出高性能、高可靠性的晶体管。
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利用原子层沉积法开发出极薄氧化物半导体的成膜方法并进行设备集成。
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随着半导体的高集成化和由此带来的高功能化，有望扩展基于大数据的社会服务。
由东京大学生产技术研究所的小林正治副教授、奈良尖端科学技术大学院大学物质创成科学领域的浦冈行治教授等人组成的合作
研究小组通过采用原子层堆积法的氧化物半导体纳米薄膜成膜技术，以低温下可形成的纳米片氧化物半导体为通道材料，成功开发出高性能、高可靠性的晶体管。
此前，氧化物半导体被研发和量产，以用于面板显示器。氧化物半导体在低温下就能形成，由于其高性能，今后有望应用于半导体集成化技术。作为半导体集成化技术，要想将氧化物半导体用作晶体管的通道材料，氧化物半导体必须是纳米薄膜，并且器件需要高性能、高可靠性。
本研究开发出通过原子层沉积法使氧化物半导体形成均匀纳米薄膜的成膜技术，制造出用栅极覆盖氧化物半导体纳米薄膜的纳米片晶体管，实现了高迁移率和高偏压耐性。