本文640字，阅读约需2分钟

摘要：产综研通过统计实验评估了许多晶体管在极低温度下的噪声产生现象，研究发现，伴随原子尺寸缺陷而产生的微小原子位置的位移，是在极低温度下工作的晶体管产生噪声的原因。

关键词：量子计算机、量子位控制、集成电路、噪声源、晶体管

日本产业技术综合研究所（产综研）宣布，对于在极低温度下工作的用于量子位控制的集成电路，其已经找到了其中产生噪声的原因。

为了增加量子位数量以提高量子计算机的性能，需要将用于控制大量量子位的控制功能集成到电路中，并在极低温度下运行它们。同样，为了增加单次处理中可执行的运算次数，就需要延长相干时间，即量子信息的保留时间。然而，由于相干时间会因电子噪声而劣化，因此除了减少量子位中产生的噪声外，还需要减少控制用集成电路中产生的噪声。

为了实现这些目的，需要降低在极低温度下工作的晶体管的噪声，但人们迄今为止还不了解噪声产生的机制。

本研究中，产综研通过统计实验评估了许多晶体管在极低温度下的噪声产生现象。研究发现，伴随原子尺寸缺陷而产生的微小原子位置的位移，是在极低温度下工作的晶体管产生噪声的原因。

在此之前，产综研曾使用大型晶体管观测到来自多个噪声产生源的平均噪声，从而可以确定噪声产生原因的位置，但是还是无法阐明噪声产生的原因本身。然而，此次通过使用仅包含少量噪声产生源的微小晶体管，产综研成功地单独观察了每个源产生的噪声。通过测量这些噪声，产综研发现，在极低温度下伴随原子尺寸缺陷而产生的微小原子位置的紊乱是主要噪声产生源。

据称，这项研究成果将加速通过降噪实现更高性能的控制用集成电路，以及更高性能量子计算机的研究。未来，产综研目标实现使用了噪声产生源降低技术的控制用集成电路，以及使用了硅量子位元件的大规模集成量子计算机。

（1）获取原文

如需原文相关信息，请联系邮箱：info@aipatent.com（请注明“获取XX资讯原文信息”）

（2）征稿启事

应部分读者建议，本公众号现开放投稿，面向企业及科研机构人员征集稿件，可以分享技术信息、学术类论文、科研成果以及研究见解等。

投稿请发送至邮箱：support@aipatent.com（请注明“AIpatent公众号”来稿）

（3）资讯定制

我们是专注于国际技术转移的服务商，致力于将日本及其他国家的先进技术引入中国。如有海外先进技术资讯定制需求，请联系邮箱：info@aipatent.com（请注明“资讯定制”）

语智海报.png

突破“蒸馏”极限，大幅提升量子计算机的模拟性能！

在极低温度下工作的用于量子位控制的集成电路，确定其噪声产生源